FDMS86101_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET 100/20V Nch Power Trench润联芯城

原厂料号：FDMS86101品牌：ONSEMI/安森美

原装正品支持实单

• 芯片型号：

  FDMS86101

• 规格书：

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• 企业简称：

  ONSEMI【安森美半导体】详情

• 厂商全称：

  ON Semiconductor

• 内容页数：

  10 页

• 文件大小：

  561.648 kb

• 资料说明：

  类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：12.4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13A N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，60A，8mΩ 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的