N 沟道，双 CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET，100V，60A，7.5mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，该工艺融入了栅极屏蔽技术。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 •栅极屏蔽 MOSFET 技术\n•Dual Cool™顶侧冷却PQFN封装\n•VGS = 10 V，ID = 14.5 A时，Max rDS(on) = 7.5 mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 11.5 A时，最大rDS(on) = 12mΩ\n•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体