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FDMS86101A数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86101A规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 8mΩ
•VGS = 6 V，ID = 9.5 A时，最大rDS(on) = 13.5mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•100%经过Rg测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86101A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：60
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：22
- Ciss Typ (pF)
：3095
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
7498 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
23472 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TDSON-8 |
18508 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
DFN56 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1844+ |
QFN |
6528 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON/FSC |
12 |
POWER56 |
7 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
PQFN-8 |
2814 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | |||
ON |
24+ |
PQFN-8 |
30000 |
ON一级代理商 原装进口现货 |
询价 |
