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FDMS86101A中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,60A,8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86101A规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10V,ID = 13 A时,最大rDS(on) = 8mΩ
•VGS = 6 V,ID = 9.5 A时,最大rDS(on) = 13.5mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•100%经过Rg测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
:FDMS86101A
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:60
- PD Max (W)
:104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:22
- Ciss Typ (pF)
:3095
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2447 |
PQFN-8(5x6) |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
QFN |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
新年份 |
DFN5*6 |
20222 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TDSON-8 |
18508 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
PQFN-8(5x6) |
13966 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
8PowerTDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
PQFN-8 |
2814 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON |
24+ |
PQFN-8 |
30000 |
ON一级代理商 原装进口现货 |
询价 |