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FDMS86163P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-50A，22mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86163P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 22 mΩ（需 VGS = -10 V、ID = -7.9 A）
• 最大 rDS(on) = 30 mΩ（需 VGS = -6 V、ID = -5.9 A）
•中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 移动通信基础设施
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86163P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-50
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：22
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：26
- Ciss Typ (pF)
：3070
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
PQFN-8(5x6) |
16048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON |
22+ |
QFN8 |
9000 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
QFN-8 |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON |
25+ |
QFN-8 |
60000 |
原装现货实单价优 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
PQFN-8(5x6) |
9334 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON |
25+ |
QFN8 |
9000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN8 |
20000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
6000 |
只做原装 支持含税 |
询价 | ||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ONSemi |
2103 |
Power-56-8 |
11744 |
全新原装公司现货
|
询价 |
