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FDMS86163P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-50A，22mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86163P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 22 mΩ（需 VGS = -10 V、ID = -7.9 A）
• 最大 rDS(on) = 30 mΩ（需 VGS = -6 V、ID = -5.9 A）
•中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 移动通信基础设施
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86163P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-50
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：22
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：26
- Ciss Typ (pF)
：3070
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
9420 |
DFN5X6 |
36520 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN8 |
12000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
9600 |
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询价 | ||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
PQFN-8(5x6) |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
QFN8 |
3000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN8 |
20000 |
询价 |
