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FDMS86163P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86163P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 22 mΩ（需 VGS = -10 V、ID = -7.9 A）
• 最大 rDS(on) = 30 mΩ（需 VGS = -6 V、ID = -5.9 A）
•中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 移动通信基础设施
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86163P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-50
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：22
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：26
- Ciss Typ (pF)
：3070
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
13048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN-8 |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
QFN8 |
65428 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ON |
22+ |
QFN8 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
询价 | ||
FSC |
1825+ |
QFN8 |
1840 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
22+ |
QFN8 |
9000 |
只做原装假一罚十 |
询价 | ||
ONSemi |
2103 |
Power-56-8 |
11744 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
14+ |
10 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
ON |
23+ |
QFN-8 |
60000 |
原装现货实单价优 |
询价 |
