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FDMS86102LZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86102LZ规格书详情
描述 Description
此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
•在VGS = 10 V且ID = 7 A时，最大值rDS(on) = 25 mΩ
•在VGS = 4.5 V且ID = 5.8 A时，最大值rDS(on) = 37 mΩ
•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• 消费电子
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86102LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：22
- PD Max (W)
：69
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：37
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.8
- Ciss Typ (pF)
：979
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
19048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
VB |
25+ |
Power56 |
3028 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1314+ |
TDSON8 |
60 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FCS |
1314+ |
72 |
全新原装!优势库存热卖中! |
询价 | |||
ON |
25+ |
QFN8 |
9000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
QFN |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
Power-56-8 |
7228 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON Semiconductor Corporation |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
