N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，22A，25mΩ

此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。 •在VGS = 10 V且ID = 7 A时，最大值rDS(on) = 25 mΩ \n•在VGS = 4.5 V且ID = 5.8 A时，最大值rDS(on) = 37 mΩ \n•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 22 A, 25 m廓

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel MOSFET

文件：233.34 Kbytes 页数：5 Pages

KEXIN

科信电子

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 6.6 A, 28 m廓

文件：257.82 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体