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FDT86102LZ	文件：257.82 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 6.6 A, 28 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDT86102LZ	文件：233.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
FDB86102LZ	文件：255.42 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,30A,24m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD86102	文件：396.48 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,36A,24m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD86102	文件：353.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD86102LZ	文件：690.05 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司
FDD86102LZ	文件：372.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,35A,22.5m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD86102LZ	文件：372.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,35A,22.5m廓	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FDD86102LZ	文件：282.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD86102LZ	文件：960.99 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FDMC86102	文件：349.92 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,20A,24m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDMC86102LZ	文件：266.05 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDMS86102LZ	文件：306.54 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,22A,25m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

型号：
FDT86102LZ
功能描述：
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDT86102LZ供应商更新时间2024-4-28 11:20:00

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