P-Channel PowerTrench MOSFET

文件：333.67 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：AP50P10NFXXXYYYY；Package：DFN5X6-8L；-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.63251 Mbytes 页数：5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-50A，22mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 • 最大 rDS(on) = 22 mΩ（需 VGS = -10 V、ID = -7.9 A）\n• 最大 rDS(on) = 30 mΩ（需 VGS = -6 V、ID = -5.9 A）\n•中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

16 (65/34) AWG Tinned Copper

文件：411.63 Kbytes 页数：4 Pages

ALPHAWIRE