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FDMS86103L中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，81A，8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86103L规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10 V，ID = 12 A时，最大rDS(on) = 8 mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 10 A时，最大rDS(on) = 11 mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86103L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：81
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：11
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：23
- Ciss Typ (pF)
：2790
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
20+ |
DFN56 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN8 |
12080 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT23-5 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
2526+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
QFN |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
PowerTDFN-8 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
12500 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 |
