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FDMS86103L数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86103L规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10 V，ID = 12 A时，最大rDS(on) = 8 mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 10 A时，最大rDS(on) = 11 mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86103L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：81
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：11
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：23
- Ciss Typ (pF)
：2790
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
20+ |
DFN56 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1922+ |
QFN |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON |
21+ |
QFN |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
原ON |
23+ |
NA |
20000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
QFN8 |
349 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
22+ |
NA |
2000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
QFN8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
