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FDMS86103L中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，81A，8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86103L规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10 V，ID = 12 A时，最大rDS(on) = 8 mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 10 A时，最大rDS(on) = 11 mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86103L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：81
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：11
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：23
- Ciss Typ (pF)
：2790
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
12433 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
PQFN-8 |
2360 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
原装ON |
24+ |
NA |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
原装ON |
23+ |
NA |
2810 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
原ON |
24+ |
NA |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
QFN8 |
12080 |
原装正品 |
询价 |
