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FDMS86150ET100数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS86150ET100

功能描述

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V,128A,4.85mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FDMS86150ET100规格书详情

描述 Description

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻,却仍保持卓越的开关性能。

特性 Features

•扩展额定 TJ 至 175°C
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•VGS = 10V,ID = 16 A时,最大rDS(on) = 4.85mΩ
•VGS = 6 V,ID = 13 A时,最大rDS(on) = 7.8mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低 rDS(on) 和高效率
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• DC-DC商用电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86150ET100

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :128

  • PD Max (W)

    :187

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.85

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :25

  • Ciss Typ (pF)

    :3055

  • Package Type

    :PQFN-8

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