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FDMS86150ET100中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，128A，4.85mΩ数据手册ONSEMI规格书
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描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•扩展额定 TJ 至 175°C
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•VGS = 10V，ID = 16 A时，最大rDS(on) = 4.85mΩ
•VGS = 6 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.8mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on) 和高效率
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86150ET100
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：128
- PD Max (W)
：187
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.85
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：3055
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
8484 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
50 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON |
2025+ |
QFN |
3000 |
原装正品现货供应商原厂渠道物美价优 |
询价 | ||
FAIRCHI |
25+ |
POWER56 |
50 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
13969 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN8 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
Power56 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 |
