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FDMS86150ET100中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，128A，4.85mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86150ET100规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•扩展额定 TJ 至 175°C
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•VGS = 10V，ID = 16 A时，最大rDS(on) = 4.85mΩ
•VGS = 6 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.8mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on) 和高效率
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86150ET100
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：128
- PD Max (W)
：187
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.85
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：3055
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
2025+ |
Power QFN EP |
55740 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
0 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
24+ |
DFN5X6 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
12000 |
现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
Power56 |
7000 |
询价 | |||
松下 |
24+ |
SMD4 |
10000 |
原装正品 清库存低价出 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHI |
25+ |
POWER56 |
50 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
FAIRCHI |
23+ |
POWER56 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
ON(安森美) |
2023+ |
0 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
