FDMS86105中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，26A，34mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86105规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•在VGS = 10 V且ID = 6 A时，最大值rDS(on) = 34 mΩ
•在VGS = 6 V且ID = 4.5 A时，最大值rDS(on) = 54 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86105
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：26
- PD Max (W)
：48
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：34
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.2
- Ciss Typ (pF)
：483
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
18+ |
8-PQFN |
6000 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
DFN5X6 |
12500 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON(安森美) |
24+ |
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8000 |
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原厂封装 |
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