FDMS86105中文资料N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100V,26A,34mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86105规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•在VGS = 10 V且ID = 6 A时,最大值rDS(on) = 34 mΩ
•在VGS = 6 V且ID = 4.5 A时,最大值rDS(on) = 54 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
:FDMS86105
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:26
- PD Max (W)
:48
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:34
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:4.2
- Ciss Typ (pF)
:483
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
8-PQFN |
31048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
18603 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
57 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
57 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN8 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON |
24+ |
Power-56-8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON |
23+ |
Power-56-8 |
2426 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN-8 |
12000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |