N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，26A，34mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 • Shielded Gate MOSFET Technology\n•在VGS = 10 V且ID = 6 A时，最大值rDS(on) = 34 mΩ \n•在VGS = 6 V且ID = 4.5 A时，最大值rDS(on) = 54 mΩ \n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 26A, 34milliohm

文件：271.87 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

26 (7/34) AWG Tinned Copper

文件：410.51 Kbytes 页数：4 Pages

ALPHAWIRE

15 GHz Optical and 20 GHz Electrical Plug-In Module

文件：205.24 Kbytes 页数：2 Pages

HP

安捷伦

Wide-Bandwidth Oscilloscope Mainframe and Modules

文件：3.88371 Mbytes 页数：35 Pages

KEYSIGHT

是德科技