FDMS86104中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，16A，24mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86104规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFT Technology
•VGS = 10 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 39 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86104
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：16
- PD Max (W)
：73
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：24
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6.7
- Ciss Typ (pF)
：694
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-8 |
360000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
DFN5x6 |
345 |
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ONSEMI/安森美 |
22+ |
DFN5X6 |
25800 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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DFN-85x6 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA |
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询价 |
