N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，16A，24mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 • Shielded Gate MOSFT Technology\n•VGS = 10 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 24 mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 39 mΩ\n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 16 A, 24 m廓

文件：257.209 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

168bytes RAM 8-BIT SINGLE CHIP MICROCOMPUTER

文件：1.41832 Mbytes 页数：61 Pages

SANYO

三洋

On-chip 168 Bytes RAM 8-BIT SINGLE CHIP MICROCOMPUTER?

Liquid Crystal Display Controller/Driver, On-chip 8K Bytes ROM and On-chip 168 Bytes RAM 8-BIT SINGLE CHIP MICROCOMPUTER

文件：1.5617 Mbytes 页数：67 Pages

SANYO

三洋