FDMS86150中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，80A，4.85mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86150规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 Power Trench® 工艺生产，经过专门设计，能够最大限度地减少通态电阻，并同时保持卓越的开关性能。
特性 Features
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•VGS = 10V，ID = 16 A时，最大rDS(on) = 4.85mΩ
•VGS = 6 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.8mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on) 和高效率
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86150
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：80
- PD Max (W)
：156
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.85
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：3055
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
POWER56 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
19048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
POWER56 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
274 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
QFN8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+P |
POWER56 |
21000 |
询价 | |||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
N/A |
7448 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
QFN8 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
POWER56 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
