FDMS8460中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，49A，2.2mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS8460规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 25A时，Max rDS(on) = 2.2mΩ
•VGS = 4.5V，ID = 21.7A时，最大rDS(on) = 3.0 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS8460
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：49
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：3
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：38
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：36
- Ciss Typ (pF)
：5415
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
PQFN-8 |
8080 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
Power56 |
7000 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
QFN |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN-8 |
3000 |
百分百原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
25850 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
PQFN-8 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
POWER56 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
原厂封装 |
1975 |
询价 | |||
Fairchild Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHI |
25+ |
QFN |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
