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FDMS8560S中文资料N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,25V,70A,1.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS8560S

功能描述

N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,25V,70A,1.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FDMS8560S规格书详情

描述 Description

此N沟道SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。 先进的硅技术和封装技术完美融合,可在提供最小rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。

特性 Features

• Max rDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A
• Max rDS(on) = 2.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 28 A
• High performance technology for extremely low rDS(on)
• SyncFET™ Schottky Body Diode
• RoHS Compliant

应用 Application

• 服务器

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8560S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 25V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :25

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :2.2

  • ID Max (A)

    :70

  • PD Max (W)

    :65

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :2.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :22

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :32

  • Ciss Typ (pF)

    :4350

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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