N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，80A，4.85mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 Power Trench® 工艺生产，经过专门设计，能够最大限度地减少通态电阻，并同时保持卓越的开关性能。 •栅极屏蔽 MOSFET 技术\n•VGS = 10V，ID = 16 A时，最大rDS(on) = 4.85mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.8mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on) 和高效率\n•MSL1 耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准;

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 60 A, 4.85 m廓

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 4.85mΩ

This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process thant hasbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. • Shielded Gate MOSFET Technology\n• Max rDS(on) = 4.85 mΩ at VGS = 10 V, ID = 16 A\n• Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency\n• MSL1 robust package design\n• 100% UIL tested\n• RoHS Compliant;

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N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，128A，4.85mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 •扩展额定 TJ 至 175°C \n•栅极屏蔽 MOSFET 技术\n•VGS = 10V，ID = 16 A时，最大rDS(on) = 4.85mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.8mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on) 和高效率\n•MSL1 耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准;

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