FDMS86181数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86181规格书详情
描述 Description
N 沟道 MV MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已经过优化，采用业界最佳的软体二极管最小化通态电阻，同时保持卓越的开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 4.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 44 A）
• 最大 rDS(on) = 12 mΩ（VGS = 6 V、ID = 22 A）
•ADD
•Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50%
•减少了开关噪音/EMI
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86181
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：124
- PD Max (W)
：125
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：2945
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
POWER56 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
PQFN-8 |
65428 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
原装 |
25+ |
PQFN-8 |
20300 |
原装特价FDMS86181即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON |
21+ |
PQFN-8 |
1458 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
询价 | ||
ON |
24+ |
PQFN8 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
240000 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
ON |
1815+ |
QFN |
9 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
19+ |
QFN |
15000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 |
