FDMS86181中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，124A，4.2mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86181规格书详情
描述 Description
N 沟道 MV MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已经过优化，采用业界最佳的软体二极管最小化通态电阻，同时保持卓越的开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 4.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 44 A）
• 最大 rDS(on) = 12 mΩ（VGS = 6 V、ID = 22 A）
•ADD
•Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50%
•减少了开关噪音/EMI
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86181
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：124
- PD Max (W)
：125
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：2945
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
QFN |
20000 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
1815+ |
QFN |
9 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ONSEMI |
25+ |
DFN |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
65300 |
一级代理/放心购买! |
询价 | |||
ON |
25+ |
PQFN-8 |
9000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
PQFN-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
DFN |
21000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
DFN-5(5x6) |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
QFN-8 |
5000 |
全新原装 |
询价 |
