FDMS86183数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86183规格书详情
描述 Description
N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 12.8 mΩ（VGS = 10 V、ID = 16 A）
• 最大值 rDS(on) = 34.6 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A）
• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
• 降低了开关噪声/EMI
• MSL1 强健封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86183
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：51
- PD Max (W)
：63
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：12.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10
- Ciss Typ (pF)
：1080
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON/FAIRCHILD |
两年内 |
NA |
108 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+19+ |
QFN |
7996 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN |
20000 |
询价 | |||
ON |
21+ |
QFN |
5500 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/FAIRCHILD |
22+ |
NA |
108 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | |||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
