首页>FDMS86255ET150>规格书详情
FDMS86255ET150中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V，63 A，12.4mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86255ET150规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•扩展额定 TJ 至 175°C
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A）
• 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
•MSL1 耐用封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86255ET150
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：63
- PD Max (W)
：136
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：12.4
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：3200
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
Power-56-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
Power-56-8 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
