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FDMS86255ET150规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•扩展额定 TJ 至 175°C
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A）
• 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
•MSL1 耐用封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86255ET150
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：63
- PD Max (W)
：136
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：12.4
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：3200
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
NA |
4468 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ON |
23+ |
Power56 |
215 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
onsemi(安森美) |
24+ |
Power-56-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
QFN |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
8PowerTDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
