FDMS86255数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86255规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A时）
• 最大 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A时）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装组合
•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
•MSL1 耐用封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86255
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：45
- PD Max (W)
：113
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：12.4
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：3200
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2223+ |
PQFN56 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN |
12080 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
151 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
Power(5x6) |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN |
4600 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
22+ |
NA |
2380 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
FAIRCHI |
23+ |
QFN |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 |
