FDMS86255中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V，45A，12.4mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86255规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A时）
• 最大 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A时）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装组合
•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
•MSL1 耐用封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86255
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：45
- PD Max (W)
：113
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：12.4
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：3200
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
Power 56 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
PQFN56 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
151 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON(安森美) |
24+ |
Power 56 |
7198 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
Power 56 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN-8 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
Power(5x6) |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
MOSFET |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 |
