FDMS86202数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86202规格书详情
描述 Description
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了Shielded Gate技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on)= 7.2 mΩ（VGS = 10 V、ID= 13.5 A）
• 最大 rDS(on)= 10.3 mΩ（VGS = 6 V、ID= 11.5 A）
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现低 rDS(on)和高效率
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86202
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：120
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：64
- PD Max (W)
：156
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：3195
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Power-56-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
25+ |
QFN |
25500 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
Power-56-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
Power-56-8 |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
NA |
121 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
QFN8 |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 |
