FDMS86202中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，64A，7.2mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86202规格书详情
描述 Description
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了Shielded Gate技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on)= 7.2 mΩ（VGS = 10 V、ID= 13.5 A）
• 最大 rDS(on)= 10.3 mΩ（VGS = 6 V、ID= 11.5 A）
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现低 rDS(on)和高效率
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86202
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：120
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：64
- PD Max (W)
：156
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：3195
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
Power-56-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
190 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
MLP5X6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
PQFN-8 |
100 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
Power-56-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
Power-56-8 |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
Power-56-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
Power-56-8 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
