FDMS86201中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 120V，49A，11.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86201规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
特性 Features
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•Max rDS(on) = 11.5 mΩ（VGS = 10 V，ID = 11.6 A时）
•Max rDS(on) = 14.5 mΩ（VGS = 6 V，ID = 10.7 A时）
•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86201
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：120
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：49
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：11.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：18
- Ciss Typ (pF)
：2056
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
PQFN-8 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FDMS86201即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
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ON Semiconductor |
2022+ |
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6800 |
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ON SEMICONDUCTOR |
50 |
询价 |
