FDMS86201数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86201规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
特性 Features
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•Max rDS(on) = 11.5 mΩ(VGS = 10 V,ID = 11.6 A时)
•Max rDS(on) = 14.5 mΩ(VGS = 6 V,ID = 10.7 A时)
•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDMS86201
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:120
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:49
- PD Max (W)
:104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:11.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:18
- Ciss Typ (pF)
:2056
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
DFN5*6 |
504701 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
130 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
新年份 |
DFN5*6 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
QFN |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN |
9000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
QFN8 |
14955 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 |