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FDMS86201中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 120V,49A,11.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86201

功能描述

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 120V,49A,11.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDMS86201规格书详情

描述 Description

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

特性 Features

•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•Max rDS(on) = 11.5 mΩ(VGS = 10 V,ID = 11.6 A时)
•Max rDS(on) = 14.5 mΩ(VGS = 6 V,ID = 10.7 A时)
•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1 耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86201

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :120

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :49

  • PD Max (W)

    :104

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :11.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :18

  • Ciss Typ (pF)

    :2056

  • Package Type

    :PQFN-8

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