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FDMS86202ET120规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on)= 7.2 mΩ（VGS = 10 V, ID= 13.5 A时）
• 最大值 rDS(on)= 10.3 mΩ（VGS = 6 V, ID= 11.5 A时）
• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准\"
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86202ET120
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：120
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：102
- PD Max (W)
：187
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：3275
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
Power-56-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
Power-56-8 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Power-56-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
Power-56-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
8PowerTDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
23+ |
DFN-8 |
20495 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
Power-56-8 |
12000 |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 |
