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FDMS86202ET120	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，102A，7.2mΩ N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 • 扩展额定 TJ 至 175°C\n• 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on)= 7.2 mΩ（VGS = 10 V, ID= 13.5 A时）\n• 最大值 rDS(on)= 10.3 mΩ（VGS = 6 V, ID= 11.5 A时）\n• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准\";	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS86252L	文件：0 bytes Page：0 Pages	Power-56-8	ON 上传：深圳市壹芯创科技有限公司	ON
FDMS9600S	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN8	ON 上传：深圳市华来深电子有限公司	ON
FDN338P	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市乐创天科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDN352AP	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市壹芯创科技有限公司	FAIRCHILD

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
120
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
102
PD Max (W)：
187
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7.2
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
29
Ciss Typ (pF)：
3275
Package Type：
PQFN-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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