FDMS86202ET120规格书库存现货安森美半导体-114ic电子网

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FDMS86202ET120	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，102A，7.2mΩ; • 扩展额定 TJ 至 175°C\n• 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on)= 7.2 mΩ（VGS = 10 V, ID= 13.5 A时）\n• 最大值 rDS(on)= 10.3 mΩ（VGS = 6 V, ID= 11.5 A时）\n• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准\"\n; N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDMS86252	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 QFN8	ON/安森美相关企业：深圳市航润创能电子集团有限公司	ON/安森美
FDMS86252L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON Power-56-8	ON 相关企业：深圳市壹芯创科技有限公司	ON
FDMS86255	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON PQFN56	ON 相关企业：深圳市航润创能电子集团有限公司	ON
FDMS86350	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 POWER56	ON/安森美相关企业：深圳市创盛芯科技有限公司	ON/安森美

更多FDMS86202ET120供应商更新时间2025-7-31 10:22:00