N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，150V，12A，56mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。 • • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大rDS(on) = 56 mΩ（VGS = 10 V，ID = 4.4 A）\n• 最大rDS(on) = 71 mΩ（VGS = 6 V，ID = 3.8 A）\n• 最大rDS(on) = 75 mΩ（VGS= 4.5 V，ID = 3.7 A）￭ \n• 低rDS(on)和高效的高级硅封装\n• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 4.5 A, 55 m廓

文件：263.73 Kbytes 页数：6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 150V, ID= 50 A RDS(ON)

文件：671.71 Kbytes 页数：4 Pages

Bychip

百域芯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 52mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件：353.74 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150 V, 27 A, 52 m

文件：178.9 Kbytes 页数：6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司