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FDMS86252L数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86252L规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大rDS(on) = 56 mΩ（VGS = 10 V，ID = 4.4 A）
• 最大rDS(on) = 71 mΩ（VGS = 6 V，ID = 3.8 A）
• 最大rDS(on) = 75 mΩ（VGS= 4.5 V，ID = 3.7 A）￭
• 低rDS(on)和高效的高级硅封装
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86252L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：12
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：56
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.6
- Ciss Typ (pF)
：952
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
22+ |
Power-56-8 |
27000 |
原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
24000 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
ON |
2105+ |
QFN-8 |
400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
21+ |
QFN |
9000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
原ON |
23+ |
QFN-8 |
20000 |
询价 | |||
ON |
21+ |
PQFN |
5465 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
PQFN |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON |
24+ |
POWER-56-8 |
10000 |
询价 | |||
FSC |
23+ |
QFN |
199 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
QFN |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |
