FDMS86252数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86252规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10 V，ID = 4.6 A时，最大rDS(on) = 51 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 3.9 A时，最大rDS(on) = 70 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86252
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：16
- PD Max (W)
：69
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：51
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6.1
- Ciss Typ (pF)
：678
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
QFN-8 |
30000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
PQFN-8 |
733 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
PQFN-8 |
9600 |
一级代理/全新现货/长期供应!! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOP-8 |
18000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
6534 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
FAIRCHI |
23+ |
QFN |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
QFN |
5000 |
原厂原装正品 |
询价 |
