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FDMS86252

Max rDS(on) = 51 m廓 at VGS = 10 V, ID = 4.6 A

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDD86252

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET150V,27A,52m

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDD86252

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=52mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FDS86252

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET150V,4.5A,55m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

  • 型号:

    FDMS86252

  • 功能描述:

    MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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onsemi(安森美)
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更多FDMS86252供应商 更新时间2024-4-19 18:15:00