FDMS86250中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，30A，25mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86250规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench?工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
• Max rDS(on) = 25 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6.7 A
• Max rDS(on) = 33 mΩ at VGS = 6 V, ID = 5.8 A
• Advanced package and silicon combinatory for low rDS(on) and high efficiency
• MSL1 robust package design
• 100% UIL tested
• RoHS Compliant
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86250
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：30
- PD Max (W)
：96
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：1750
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
47048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
QFN8 |
1800 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2517+ |
QFN |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
1382 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON(安森美) |
24+ |
Power-56-8 |
9048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
