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FDMS86250数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS86250

功能描述

N 沟道,Power Trench® MOSFET,150V,30A,25mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 17:01:00

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FDMS86250规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench?工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

• Shielded Gate MOSFET Technology
• Max rDS(on) = 25 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6.7 A
• Max rDS(on) = 33 mΩ at VGS = 6 V, ID = 5.8 A
• Advanced package and silicon combinatory for low rDS(on) and high efficiency
• MSL1 robust package design
• 100% UIL tested
• RoHS Compliant

应用 Application

• DC-DC商用电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86250

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :30

  • PD Max (W)

    :96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :25

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :14

  • Ciss Typ (pF)

    :1750

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
Power-56-8
9048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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ON/安森美
21+
SMD
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30000
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