丝印：FDMS86255；Package：PQFN8；MOSFET ??N-Channel, Shielded Gate, POWERTRENCH

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ONSEMI

安森美半导体

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V，45A，12.4mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 •屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A时）\n• 最大 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A时）\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装组合\n•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n•MSL1 耐用封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

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安森美半导体

N-Channel Enhancement MOSFET

Application | « Load switch « High Frequency Switching and Synchronous Rectification o Active Clamp in Intermediate « DC/DC Power Supplies

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TECHPUBLIC

台舟电子

N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V，63 A，12.4mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 •扩展额定 TJ 至 175°C\n•屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A）\n• 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A）\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装\n•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n•MSL1 耐用封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体