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FDMS86255ET150	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V，63 A，12.4mΩ N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 •扩展额定 TJ 至 175°C\n•屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A）\n• 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A）\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装\n•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n•MSL1 耐用封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS9600S	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN8	ON 上传：深圳市华来深电子有限公司	ON
FDN304P	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	ON 上传：深圳市科达星科技有限公司	ON
FDN304P-NL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市品优时代科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDN306P	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
63
PD Max (W)：
136
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
12.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
29
Ciss Typ (pF)：
3200
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMS86255ET150供应商更新时间2025-12-22 16:12:00

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