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FDMS86263P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86263P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 53 mΩ，需 VGS = -10 V、ID = -4.4 A
• 最大 rDS(on) = 53 mΩ，需 VGS = -10 V、ID = -4.4 A
• 中压 P 沟道硅技术的 Rds-on 极低，经优化非常适用于 Qg较低的情况
•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86263P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-150
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-22
- PD Max (W)
：384
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：53
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：2935
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
8945 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
QFN |
4892 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
QFN |
1709 |
询价 | |||
ON |
16+ |
QFN8 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ONSemi |
2123 |
PQFN-8 |
11800 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
ONSEMI |
18+ROHS |
NA |
17000 |
全新原装!优势库存热卖中! |
询价 | ||
原ON |
23+ |
QFN-8 |
20000 |
询价 |
