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FDMC8360L	文件：344.94 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FP8360BB	文件：198.31 Kbytes Page：1 Pages	2GBlankingPlate-BrushedBrass DESCRIPTION2GBlankingPlate-BrushedBrass	KNIGHTSBRIDGE ML Accessories Limited.	KNIGHTSBRIDGE
FP8360GM	文件：135.63 Kbytes Page：1 Pages	2GBlankingPlate-Gunmetal DESCRIPTION2GBlankingPlate-Gunmetal	KNIGHTSBRIDGE ML Accessories Limited.	KNIGHTSBRIDGE
FP8360PB	文件：152.01 Kbytes Page：1 Pages	2GBlankingPlate DESCRIPTION2GBlankingPlate-PolishedBrass	KNIGHTSBRIDGE ML Accessories Limited.	KNIGHTSBRIDGE
FP8360PL	文件：155.49 Kbytes Page：1 Pages	2GBlankingPlate-Pearl DESCRIPTION2GBlankingPlate-Pearl	KNIGHTSBRIDGE ML Accessories Limited.	KNIGHTSBRIDGE
FST8360L	文件：147.31 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE80A	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
FST8360M	文件：146.68 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE80A	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
FST8360M	文件：360.33 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
FST8360M	文件：404.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
FST8360SL	文件：664.52 Kbytes Page：3 Pages	80AmpRectifier60to100VoltsSchottkyBarrier Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
FDMC8360L
功能描述：
MOSFET 40V N Chan Shielded Gate Power Trench
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
40 V
漏极连续电流：
80 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
3.1 mOhms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
Power-33
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDMC8360L	ONSEMI/安森美	25+	PQFN-8	20300	ONSEMI/安森美原装特价FDMC8360L即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多FDMC8360L供应商更新时间2025-7-12 14:14:00

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