N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，80A，2.1mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。 •栅极屏蔽 MOSFET 技术 \n•rDS(on)最大值 = 2.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 27 A） \n•rDS(on)最大值 = 3.1 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 22 A） \n•高性能技术可实现极低的 rDS(on) \n•终端为无铅产品 \n•100% 经过 UIL 测试 \n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，141A，2.1mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 2.1 mΩ (VGS = 10 V, ID = 27 A)\n• 最大值 rDS(on) = 3.1 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 22 A)\n• 高性能技术，可实现极低 rDS(on)\n• 终端为无铅产品\n• 100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

2G Blanking Plate - Brushed Brass

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KNIGHTSBRIDGE

2G Blanking Plate - Gunmetal

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KNIGHTSBRIDGE

2G Blanking Plate

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