FDMC8360L中文资料N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，80A，2.1mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC8360L规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•rDS(on)最大值 = 2.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 27 A）
•rDS(on)最大值 = 3.1 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 22 A）
•高性能技术可实现极低的 rDS(on)
•终端为无铅产品
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC8360L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：80
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：3.1
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2.1
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：26
- Ciss Typ (pF)
：4140
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/ON |
24+ |
NA/ |
8972 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
25+ |
QFN |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
13+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
QFN |
1200 |
绝对公司现货,不止网上数量!原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
22+ |
Power33 |
5699 |
全新原装 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON |
24+ |
Power33 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
FAI |
17+ |
QFN |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
