N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，20A，2.2mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。 •VGS = 10V，ID = 20A时，最大rDS(on) = 2.2mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 18 A时，最大rDS(on) = 3.3mΩ\n•高性能技术可实现极低的rDS(on)\n•终端是符合RoHS标准的无铅产品;

ONSEMI

安森美半导体

DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH짰 MOSFETs

Dual Cool™ packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance flexibility. With enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predece

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-Channel Power Trench짰 SyncFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

General Description The FDMC7660S has been designed to minimize losses in power conversion applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，双 CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET，30V，40A，2.2mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 •Dual CoolÞ 顶侧冷却 PQFN 封装\n•最大 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 22 A）\n•VGS = 4.5 V，ID = 18 A时，Max rDS(on) = 3.3 mΩ\n•极低 rDS(on)的高性能技术\n•终端是符合 RoHS 标准的无铅产品;

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安森美半导体

N 沟道，Power Trench® SyncFET™，30V，20A，2.2mΩ

FDMC7660S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的 rDS(on)。 该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。 • 最大值 rDS(on)=2.2 mΩ（需 VGS=10 V、ID=20 A\n• 最大值 rDS(on)=2.95 mΩ（需 VGS=4.5 V、ID=18 A\n•高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n•终端无引线且符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体