N-Channel Power Trench MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

丝印：8321LD；Package：DualCoolTM33；N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench짰 MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V，49A，2.5mΩ

这一N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它为实现低栅极电荷、低rDS(on)、高速开关体二极管反向恢复性能而优化。 • Max rDS(on) = 2.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 22 A\n• Max rDS(on) = 4.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 18 A\n• Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency\n• Next Generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery\n• 100% UIL tested\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，108A，2.5mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 • Dual CoolTM 顶侧冷却PQFN封装\n• 最大值 rDS(on) = 2.5 mΩ（VGS = 10 V, ID = 27 A时）\n• 最大值 rDS(on) = 4.1 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 21 A时）\n• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体