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CSD13383F4T	文件：935.46 Kbytes Page：13 Pages	CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized f 文件：935.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4T	文件：764.53 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：764.53 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4T.B	文件：935.46 Kbytes Page：13 Pages	CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized f 文件：935.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4	文件：764.53 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：764.53 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4	文件：935.46 Kbytes Page：13 Pages	CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized f 文件：935.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13383F4.B	文件：935.46 Kbytes Page：13 Pages	CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized f 文件：935.46 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

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