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CSD16327Q3	文件：480.97 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16327；Package：VSON-CLIP；CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5-V Gate Drive • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in 文件：480.97 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3	文件：991.55 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：991.55 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3	文件：425.34 Kbytes Page：13 Pages	25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：425.34 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 25V、3.4mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗并经优化以适用于 5V 栅极驱动器应用。 • 针对 5V 栅极驱动器进行优化\n• 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3.B	文件：480.97 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16327；Package：VSON-CLIP；CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5-V Gate Drive • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in 文件：480.97 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3T	文件：480.97 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16327；Package：VSON-CLIP；CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5-V Gate Drive • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in 文件：480.97 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3T.B	文件：480.97 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16327；Package：VSON-CLIP；CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5-V Gate Drive • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in 文件：480.97 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3_16	文件：425.34 Kbytes Page：13 Pages	25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：425.34 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3T	文件：425.34 Kbytes Page：13 Pages	25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：425.34 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
4.8
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
112
QG typ (nC)：
6.2
QGD typ (nC)：
1.1
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1.2
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
112
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD16327Q3	TI/德州仪器	25+	SON8	32360	TI/德州仪器全新特价CSD16327Q3即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD16327Q3供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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