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CSD16323Q3

N-Channel NexFET??Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD16323Q3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

CSD16323Q3C

N-Channel NexFET??Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

  • 型号:

    CSD16323Q3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI
2021+
SON8
16890
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TI/德州仪器
22+
SON8
60000
原装正品
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Texas Instruments
24+
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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TI
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SON8
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TI/德州仪器
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SON8
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SON8
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TI/德州仪器
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TI/德州仪器
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SON8
8000
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更多CSD16323Q3供应商 更新时间2025-6-17 11:23:00