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CSD16411Q3	文件：604.01 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16411；Package：VSON-CLIP；CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Comput 文件：604.01 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16411Q3	文件：358.45 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：358.45 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16411Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This 25-V, 8-mΟ, 3.3-mm × 3.3-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultra-Low Qg and Qgd\n• Avalanche Rated\n• RoHS Compliant\n• SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package\n• Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems\n• Optimized for Control FET Applications\n \n All other trademarks are the property of their ;	TI 德州仪器	TI
CSD16411Q3.B	文件：604.01 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16411；Package：VSON-CLIP；CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Comput 文件：604.01 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16411Q3T	文件：604.01 Kbytes Page：12 Pages	CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Comput 文件：604.01 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
15
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
10
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
138
QG typ (nC)：
2.9
QGD typ (nC)：
0.7
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
16
VGSTH typ (V)：
2
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
56
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	CSD16411Q3	TI	25+	SON8	20000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CSD16411Q3	TI/德州仪器	22+	VSON-8	45000	原装正品	询价
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更多CSD16411Q3供应商更新时间2025-10-4 14:08:00

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