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CSD16411Q3中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

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厂商型号

CSD16411Q3

功能描述

CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

CSD16411

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

604.01 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-27 10:16:00

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CSD16411Q3规格书详情

1 Features

1• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low-Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Lead-Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

2 Applications

• Point-of-Load Synchronous Buck Converter for

Applications in Networking, Telecom and

Computing Systems

• Optimized for Control FET Applications

3 Description

This 25-V, 8-mΩ, 3.3-mm × 3.3-mm SON NexFET™

power MOSFET has been designed to minimize

losses in power conversion applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD16411Q3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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