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CSD16409Q3中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

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厂商型号

CSD16409Q3

功能描述

N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

丝印标识

CSD16409

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

257.1 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 16:11:00

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CSD16409Q3规格书详情

FEATURES

• Ultra Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 3.3mm x 3.3mm Plastic Package

APPLICATIONS

• Point-of-Load Synchronous Buck Converter

for Applications in Networking, Telecom and

Computing Systems

• Optimized for Control FET Applications

DESCRIPTION

The NexFET™ power MOSFET has been designed

to minimize losses in power conversion applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD16409Q3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
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QFN
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