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CSD16409Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET; • Ultra Low Qg and Qgd\n• Low Thermal Resistance\n• Avalanche Rated\n• Pb Free Terminal Plating\n• RoHS Compliant\n• Halogen Free\n• SON 3.3mm x 3.3mm Plastic Package\n• APPLICATIONS \n• Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems\n• Optimized for Control FET Applications\n \n NexFET is a trademark of Texas Instruments.; The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CSD16409Q3	文件：257.1 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD16409；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs FEATURES •UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON3.3mmx3.3mmPlasticPackage APPLICATIONS •Point-of-LoadSynchronousBuckConverter forApplicationsinNetworking,Telecomand ComputingSyste	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16409Q3	文件：351.51 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CSD16409Q3.B	文件：257.1 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD16409；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs FEATURES •UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON3.3mmx3.3mmPlasticPackage APPLICATIONS •Point-of-LoadSynchronousBuckConverter forApplicationsinNetworking,Telecomand ComputingSyste	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16410Q5A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI VSONP-8	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司相关企业：深圳市芯巴巴科技有限公司	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
12.4
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
8.2
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
90
QG typ (nC)：
4
QGD typ (nC)：
1
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
16
VGSTH typ (V)：
2
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
60
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD16409Q3供应商更新时间2025-7-30 15:08:00

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