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CSD16570Q5B	文件：503.52 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16570；Package：VSON-CLIP；CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 文件：503.52 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16570Q5B	文件：410.84 Kbytes Page：13 Pages	25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：410.84 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16570Q5B.B	文件：503.52 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16570；Package：VSON-CLIP；CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 文件：503.52 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16570Q5BG4.B	文件：503.52 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16570；Package：VSON-CLIP；CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 文件：503.52 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16570Q5BT	文件：503.52 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16570；Package：VSON-CLIP；CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 文件：503.52 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16570Q5BT.B	文件：503.52 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16570；Package：VSON-CLIP；CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 文件：503.52 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16570Q5B_15	文件：920.4 Kbytes Page：15 Pages	CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：920.4 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16570Q5B_16	文件：410.84 Kbytes Page：13 Pages	25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：410.84 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16570Q5BT	文件：410.84 Kbytes Page：13 Pages	25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：410.84 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16570Q5B	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.82mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 25V，0.49mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应用的电阻，不适用于开关应用。 • 极低电阻\n• 低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• SON 5mm × 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
0.82
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
0.59
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
95
QGD typ (nC)：
31
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
456
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD16570Q5B	TI/德州仪器	25+	VSON8	20300	TI/德州仪器原装特价CSD16570Q5B即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	CSD16570Q5B	TI	24+25+	VQFN	15000	原厂原装终端客户免费申请样品	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	CSD16570Q5B	TI	21+	VSON8	2500	全新原装公司现货	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	CSD16570Q5B	TI	23+	VSON-CLIP-8	30000	全新原装正品	询价
深圳市胜彬电子有限公司	CSD16570Q5B	TI/德州仪器	2038+	VSON8	8000	原装正品假一罚十	询价
芯灿微（深圳）科技有限公司	CSD16570Q5B	TI/德州仪器	22+	SON-8	500000	原装现货支持实单价优/含税	询价
深圳卓越飞讯科技有限公司	CSD16570Q5B	TI	2228	N/A	5000	全新、原装	询价
上海意淼电子科技有限公司	CSD16570Q5B	TI	23+	VSON8	16780	全新原装假一赔十	询价
深圳市英博尔电子有限公司	CSD16570Q5B	TI/德州仪器	22+	VSON8	30000	原装优质现货订货渠道商	询价
深圳市能创芯电子科技有限公司	CSD16570Q5B	TI	23+	VSON8	16800	进口原装现货	询价

更多CSD16570Q5B供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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