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CSD17555Q5A	文件：774.33 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17555；Package：VSONP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems • Optimized for Control 文件：774.33 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17555Q5A	文件：715.03 Kbytes Page：10 Pages	30V N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：715.03 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17555Q5A.B	文件：774.33 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17555；Package：VSONP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems • Optimized for Control 文件：774.33 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17555Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此 NexFET 功率 MOSFET 被设计用于在功率转换应用中大大降低功率损失。 • 超低 Qg和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
3.4
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2.7
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
153
QG typ (nC)：
23
QGD typ (nC)：
5
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
116
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	CSD17555Q5A		24+	DFN56	6000	美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现	询价
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更多CSD17555Q5A供应商更新时间2025-10-6 15:10:00

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