丝印：CSD17551；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point of load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Control F

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30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs

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丝印：CSD17551；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point of load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Control F

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。RθJA=41.9°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2)，2 盎司（厚度为 0.071mm）铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% • 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)\n• 低热阻\n• 额定雪崩能量\n• 无铅端子封装\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装;

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