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CSD17483F4	文件：583.08 Kbytes Page：12 Pages	30 V, N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：583.08 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17483F4	文件：588.59 Kbytes Page：12 Pages	CSD17483F4, 30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：588.59 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17483F4	文件：560.67 Kbytes Page：10 Pages	30-V, N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：560.67 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17483F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过特别设计和优化，能够在许多手持式和移动应用中最大限度地减小占用空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。 • 低导通电阻\n• 低 Qg 和 Qgd\n• 低阈值电压\n• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸） \n• 1.0mm × 0.6mm\n \n• 超薄 \n• 高度为 0.35mm\n \n• 集成 ESD 保护二极管 \n• 额定值 > 4kV HBM\n• 额定值 > 2kV CDM\n \n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 标准;	TI 德州仪器	TI
CSD17483F4_13	文件：583.08 Kbytes Page：12 Pages	30 V, N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：583.08 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17483F4R	文件：560.67 Kbytes Page：10 Pages	30-V, N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：560.67 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17483F4T	文件：583.08 Kbytes Page：12 Pages	30 V, N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：583.08 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
260
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
230
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
5
QG typ (nC)：
1.01
QGD typ (nC)：
0.13
Package (mm)：
LGA 1.0x0.6mm
VGS (V)：
12
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
1.5
ID - package limited (A)：
1.5
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD17483F4	TI/德州仪器	25+	PICOSTAR3	32360	TI/德州仪器全新特价CSD17483F4即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD17483F4供应商更新时间2025-10-6 9:03:00

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