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CSD16321Q5	文件：554.08 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：554.08 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16321Q5	文件：602.9 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD16321；Package：VSON-CLIP；CSD16321Q5 25-V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：602.9 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16321Q5	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This 25-V, 1.9-mΩ, 5-mm × 6-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive applications. • Optimized for 5-V Gate Drive\n• Ultra-Low Qg and Qgd\n• Low-Thermal Resistance\n• Avalanche Rated\n• Lead-Free Terminal Plating\n• RoHS Compliant\n• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package;	TI 德州仪器	TI
CSD16321Q5_V01	文件：602.9 Kbytes Page：13 Pages	CSD16321Q5 25-V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：602.9 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16321Q5C	文件：220.76 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：220.76 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16321Q5T	文件：602.9 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD16321；Package：VSON-CLIP；CSD16321Q5 25-V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：602.9 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16321Q5C	文件：300 bytes Page：1 Pages	DualCool N 通道 NexFET 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.\n ·DualCool™ Package SON 5×6mm\n ·Optimized for Two Sided Cooling\n ·Optimized for 5V Gate Drive\n ·Ultralow Qg and Qgd\n ·Low Thermal Resistance\n ·Avalanche Rated\n ·Pb Free Terminal Plating\n ·RoHS Compliant and Halogen Free\n ·APPLICATIONS ·Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
2.6
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
200
QG typ (nC)：
14
QGD typ (nC)：
2.5
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1.1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
177
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD16321Q5供应商更新时间2025-10-9 14:02:00

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